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NTD6414AN, NVD6414AN
TYPICAL CHARACTERISTICS
2800
2400
2000
1600
C iss
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
10
8
6
Q gs
V DS
Q T
Q gd
V GS
100
80
60
1200
800
4
40
400
0
0
C rss
C oss
20 40 60 80
100
2
0
0
5
10 15 20
25 30
I D = 32 A
T J = 25 ° C
35
20
0
40
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
Q g , TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source Voltage and
Drain ? to ? Source Voltage versus Total Charge
1000
V DS = 80 V
I D = 32 A
V GS = 10 V
35
30
T J = 25 ° C
V GS = 0 V
100
t f
t r
25
20
10
t d(off)
t d(on)
15
10
5
1
1
10
100
0
0.4
0.5 0.6 0.7 0.8
0.9
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
versus Gate Resistance
160
V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage versus
Current
10 m s
140
I D = 32 A
10
100 m s
120
100
1
V GS = 10 V
SINGLE PULSE
T C = 25 ° C
R DS(on) LIMIT
THERMAL LIMIT
1 ms
10 ms
dc
80
60
40
20
0.1
1
PACKAGE LIMIT
10 100
1000
0
25
50 75 100 125 150
175
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE
Figure 12. Maximum Avalanche Energy versus
Starting Junction Temperature
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